ECH8419 Todos los transistores

 

ECH8419 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ECH8419

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 35 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.6 V

Carga de compuerta (Qg): 19 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.013 Ohm

Empaquetado / Estuche: ECH8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ECH8419

 

ECH8419 Datasheet (PDF)

1.1. ech8419.pdf Size:345K _sanyo

ECH8419
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ECH8419 Ordering number : ENA1886 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8419 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) ? 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Source Voltage V

4.1. ech8411.pdf Size:33K _update-mosfet

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Ordering number : ENA0073 ECH8411 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8411 Applications Features • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source Voltage VGSS ±12 V Drain Current (DC) ID 9 A Drain Current (Pulse) IDP

4.2. ech8410.pdf Size:286K _sanyo

ECH8419
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ECH8410 Ordering number : ENA1331 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8410 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain C

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