Справочник MOSFET. ECH8419

 

ECH8419 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ECH8419
   Маркировка: KZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: ECH8

 Аналог (замена) для ECH8419

 

 

ECH8419 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  sanyo
 ech8419.pdf

ECH8419 ECH8419

ECH8419Ordering number : ENA1886SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8419ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Sourc

 8.1. Size:286K  sanyo
 ech8410.pdf

ECH8419 ECH8419

ECH8410Ordering number : ENA1331SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8410ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20

 8.2. Size:33K  sanyo
 ech8411.pdf

ECH8419 ECH8419

Ordering number : ENA0073 ECH8411N-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8411ApplicationsFeatures Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source Voltage VGSS 12 VDrain Current (DC) ID 9 ADrain Current (Pulse) IDP

 9.1. Size:391K  1
 ech8420.pdf

ECH8419 ECH8419

ECH8420Ordering number : EN8993SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETECH8420 General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=5.2m (typ.) 1.8V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source

 9.2. Size:42K  sanyo
 ech8402.pdf

ECH8419 ECH8419

Ordering number : ENN8148 ECH8402N-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8402ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID 10 ADrain Current (Pulse) IDP PW10

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top