EMH1307 Todos los transistores

 

EMH1307 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMH1307
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8
 

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EMH1307 PDF Specs

 ..1. Size:344K  sanyo
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EMH1307

EMH1307 Ordering number ENA1715 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device EMH1307 Applications Features ON-resistance RDS(on)1 20m (typ.) Input Capacitance Ciss=1100pF(typ.) 1.8V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Dr... See More ⇒

 8.1. Size:65K  sanyo
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EMH1307

Ordering number ENA0661 EMH1303 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device EMH1303 Applications Features Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID --... See More ⇒

 9.1. Size:138K  philips
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EMH1307

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH13; PUMH13 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13 R1 = 4.7 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX... See More ⇒

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