EMH1307 Todos los transistores

 

EMH1307 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMH1307

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: EMH8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMH1307

 

EMH1307 Datasheet (PDF)

1.1. emh1307.pdf Size:344K _sanyo

EMH1307
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EMH1307 Ordering number : ENA1715 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device EMH1307 Applications Features ON-resistance RDS(on)1 : 20m (typ.) Input Capacitance Ciss=1100pF(typ.) ? 1.8V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source

4.1. emh1303.pdf Size:65K _sanyo

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Ordering number : ENA0661 EMH1303 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device EMH1303 Applications Features Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID --7 A Drai

 5.1. pemh13 pumh13.pdf Size:138K _philips

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH13; PUMH13 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k?, R2 = 47 k? Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13 R1 = 4.7 k?, R2 = 47 k? FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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