EMH1405 Todos los transistores

 

EMH1405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMH1405
   Código: KE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8
 

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EMH1405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  sanyo
 emh1405.pdf pdf_icon

EMH1405

EMH1405Ordering number : ENA1667SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH1405ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=14m (typ) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source

 9.1. Size:93K  nxp
 pemh14 pumh14.pdf pdf_icon

EMH1405

PEMH14; PUMH14NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = openRev. 03 15 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complementNXP JEITAPEMH14 SOT666 - PEMD14 PEMB14PUMH14 SOT363 SC-88 PUMD14 PUMB141.2 Feature

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