EMH1405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EMH1405
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMH8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMH1405

EMH1405 Datasheet (PDF)

..1. Size:347K sanyo
emh1405.pdf

EMH1405Ordering number : ENA1667SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceEMH1405ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=14m (typ) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source

9.1. Size:93K nxp
pemh14 pumh14.pdf

PEMH14; PUMH14NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = openRev. 03 15 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complementNXP JEITAPEMH14 SOT666 - PEMD14 PEMB14PUMH14 SOT363 SC-88 PUMD14 PUMB141.2 Feature

Otros transistores... ECH8663R , ECH8664R , ECH8667 , ECH8668 , ECH8673 , EFC4618R , EMH1303 , EMH1307 , IRF640 , EMH2308 , EMH2407 , EMH2408 , EMH2409 , EMH2412 , EMH2604 , EMH2801 , FW274 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: