FW707 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW707  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FW707 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FW707 datasheet

 ..1. Size:331K  sanyo
 fw707.pdf pdf_icon

FW707

FW707 Ordering number ENA1805 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FW707 Applications Features Composite type with a P-channel MOSFET driving from a 4V supply voltage contained in a single package High-density mounting Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain

Otros transistores... EMH2407, EMH2408, EMH2409, EMH2412, EMH2604, EMH2801, FW274, FW282, 10N60, FW811, FW812, FW813, FW906, FW907, J310, MCH3374, MCH3377