2SK929 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK929

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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2SK929 datasheet

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2SK929

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2SK929

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK922 DESCRIPTION Drain Current I = 15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 120V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.15 (Max) DS(on) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching re

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