2SK929 Todos los transistores

 

2SK929 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK929
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SK929 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:3138K  1
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2SK929

 9.2. Size:198K  inchange semiconductor
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2SK929

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK922DESCRIPTIONDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 120V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.15(Max)DS(on)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low voltage, high speed power switchingapplications such as switching re

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History: VBA1302 | UPA2210T1M | SSF3904A | KPA1790 | AUIRF7736M2TR | STU10N60M2 | NCE6045G

 

 
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