2SK929. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK929

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK929

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK929 даташит

 9.1. Size:3138K  1
 2sk928.pdf pdf_icon

2SK929

 9.2. Size:198K  inchange semiconductor
 2sk922.pdf pdf_icon

2SK929

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK922 DESCRIPTION Drain Current I = 15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 120V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.15 (Max) DS(on) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching re

Другие IGBT... 2SK900, 2SK901, 2SK902, 2SK903, 2SK904, 2SK905, 2SK906, 2SK928, 10N65, 2SK934, 2SK935, 2SK936, 2SK946, 2SK947, 2SK947-MR, 2SK948, 2SK949