MCH6431 Todos los transistores

 

MCH6431 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCH6431

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: MCPH6

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MCH6431 datasheet

 ..1. Size:362K  sanyo
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MCH6431

MCH6431 Ordering number ENA1852 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device MCH6431 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=42m (typ.) 4V drive Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Sour

 8.1. Size:496K  sanyo
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MCH6431

MCH6436 Ordering number ENA1565A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device MCH6436 Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh speed switching. 1.8V drive. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS

 8.2. Size:346K  sanyo
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MCH6431

MCH6437 Ordering number ENA1776 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device MCH6437 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=18m (typ.) 1.8V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source Voltage VGSS 12 V Drai

 8.3. Size:392K  onsemi
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MCH6431

MCH6436 Power MOSFET www.onsemi.com 30V, 34m , 6A, Single N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 34m @ 4.5V 1.8V Drive 30V 49m @ 2.5V 6A High Speed Switching 69m @ 1.8V ESD Diode-Protected Gate Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C 1, 2, 5, 6

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