Справочник MOSFET. MCH6431

 

MCH6431 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCH6431
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: MCPH6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MCH6431 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  sanyo
 mch6431.pdf pdf_icon

MCH6431

MCH6431Ordering number : ENA1852SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6431ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=42m (typ.) 4V drive Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Sour

 8.1. Size:496K  sanyo
 mch6436.pdf pdf_icon

MCH6431

MCH6436Ordering number : ENA1565ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6436ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh speed switching. 1.8V drive.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS

 8.2. Size:346K  sanyo
 mch6437.pdf pdf_icon

MCH6431

MCH6437Ordering number : ENA1776SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6437ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=18m (typ.) 1.8V driveSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source Voltage VGSS 12 VDrai

 8.3. Size:392K  onsemi
 mch6436.pdf pdf_icon

MCH6431

MCH6436 Power MOSFET www.onsemi.com 30V, 34m, 6A, Single N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 34m@ 4.5V 1.8V Drive 30V 49m@ 2.5V 6A High Speed Switching 69m@ 1.8V ESD Diode-Protected Gate Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 1, 2, 5, 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MCH6321 , MCH6331 , MCH6336 , MCH6337 , MCH6341 , MCH6342 , MCH6344 , MCH6421 , RFP50N06 , MCH6436 , MCH6437 , MCH6444 , MCH6445 , MCH6601 , MCH6602 , MCH6604 , MCH6613 .

History: IPP60R160C6 | NVB6410AN | PM555BZ | H04N65E | IRF3707SPBF | CRTD063N04L | HYG060P04LQ1D

 

 
Back to Top

 


 
.