MCH6444 Todos los transistores

 

MCH6444 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCH6444
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
   Paquete / Cubierta: MCPH6
 

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MCH6444 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  sanyo
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MCH6444

MCH6444Ordering number : EN8935SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6444ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=75m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source

 8.1. Size:347K  1
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MCH6444

MCH6448Ordering number : ENA2004SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETLow-Voltage Driver SwitchingMCH6448Device ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) 1.2V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Volt

 8.2. Size:496K  sanyo
 mch6445.pdf pdf_icon

MCH6444

MCH6445Ordering number : ENA1566SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceMCH6445ApplicationsFeatures 4V drive. Low ON-resistance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID 4 A

 8.3. Size:624K  onsemi
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MCH6444

MCH6448 Power MOSFET www.onsemi.com 20V, 22m, 8A, Single N-Channel VDSS RDS(on) Max ID MaxFeatures 22m@ 4.5V Low On-Resistance 28m@ 2.5V 20V 8A 1.2V Drive 39m@ 1.8V ESD Diode-Protected Gate 124m@ 1.2V Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Specifications Electrical Connection N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C

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History: STD2NA60T4

 

 
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