MCH6444 - описание и поиск аналогов

 

MCH6444. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCH6444

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: MCPH6

Аналог (замена) для MCH6444

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCH6444 даташит

 ..1. Size:342K  sanyo
mch6444.pdfpdf_icon

MCH6444

MCH6444 Ordering number EN8935 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device MCH6444 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=75m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Source

 8.1. Size:347K  1
mch6448.pdfpdf_icon

MCH6444

MCH6448 Ordering number ENA2004 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET Low-Voltage Driver Switching MCH6448 Device Applications Features ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) 1.2V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Volt

 8.2. Size:496K  sanyo
mch6445.pdfpdf_icon

MCH6444

MCH6445 Ordering number ENA1566 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device MCH6445 Applications Features 4V drive. Low ON-resistance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 4 A

 8.3. Size:624K  onsemi
mch6448.pdfpdf_icon

MCH6444

MCH6448 Power MOSFET www.onsemi.com 20V, 22m , 8A, Single N-Channel VDSS RDS(on) Max ID Max Features 22m @ 4.5V Low On-Resistance 28m @ 2.5V 20V 8A 1.2V Drive 39m @ 1.8V ESD Diode-Protected Gate 124m @ 1.2V Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Specifications Electrical Connection N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C

Другие MOSFET... MCH6337 , MCH6341 , MCH6342 , MCH6344 , MCH6421 , MCH6431 , MCH6436 , MCH6437 , 12N60 , MCH6445 , MCH6601 , MCH6602 , MCH6604 , MCH6613 , MGSF1N02L , MGSF1N03L , MGSF2N02EL .

History: ME120N10T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.