MMBF170L Todos los transistores

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MMBF170L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMBF170L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.225 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT233

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MMBF170L Datasheet (PDF)

1.1. mmbf170lt1rev2d.pdf Size:98K _motorola

MMBF170L
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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF170LT1/D TMOS FET Transistor DRAIN 3 MMBF170LT1 NChannel 1 GATE ? 3 2 SOURCE 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit DrainSource Voltage VDSS 60 Vdc CASE 31808, STYLE 21 SOT23 (TO236AB) DrainGate Voltage VDGS 60 Vdc GateSource Voltage Continuous VGS 20 Vdc Nonrepetitive (tp ? 50 ms) VGSM 40

1.2. mmbf170lt1.pdf Size:102K _motorola

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1.3. mmbf170lt1-d.pdf Size:77K _onsemi

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MMBF170LT1 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 Features http://onsemi.com Pb-Free Packages are Available 500 mA, 60 V MAXIMUM RATINGS RDS(on) = 5 W Rating Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 Vdc Drain-Gate Voltage VDGS 60 Vdc SOT-23 CASE 318 Gate-Source Voltage STYLE 21 - Continuous VGS 20 Vdc - Non-repetitive (tp ? 50 ms) VGSM 40 Vpk Drain Current - Cont

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