Справочник MOSFET. MMBF170L

 

MMBF170L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMBF170L
   Маркировка: 6Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для MMBF170L

 

 

MMBF170L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  onsemi
mmbf170l nvbf170l.pdf

MMBF170L
MMBF170L

MMBF170L, NVBF170LPower MOSFET500 mA, 60 V, N-Channel SOT-23Features NVBF Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101http://onsemi.comQualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant500 mA, 60 VRDS(on) = 5 WMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitSOT-23Drain-Source Voltage

 ..2. Size:933K  slkor
mmbf170l.pdf

MMBF170L
MMBF170L

MMBF170LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures Low on resistance RDS(ON) Low gate threshold voltage Low input capacitance ESD protected up to 2KV Marking Code:6Z1.G 2.S 3.DSOT-23 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 V Gate-Source Voltage VGSS 20 V Drain Cu

 0.1. Size:102K  motorola
mmbf170lt1.pdf

MMBF170L
MMBF170L

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF170LT1/DTMOS FET TransistorDRAIN3MMBF170LT1NChannel1GATE32SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDGS 60 VdcGateSource Voltage Continuous VGS 20 Vdc Nonrepeti

 0.2. Size:98K  motorola
mmbf170lt1rev2d.pdf

MMBF170L
MMBF170L

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF170LT1/DTMOS FET TransistorDRAIN3MMBF170LT1NChannel1GATE32SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage VDGS 60 VdcGateSource Voltage Continuous VGS 20 Vdc Nonrepeti

 0.3. Size:77K  onsemi
mmbf170lt1-d.pdf

MMBF170L
MMBF170L

MMBF170LT1Power MOSFET500 mA, 60 VN-Channel SOT-23Featureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available500 mA, 60 VMAXIMUM RATINGSRDS(on) = 5 WRating Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 60 VdcDrain-Gate Voltage VDGS 60 VdcSOT-23CASE 318Gate-Source VoltageSTYLE 21- Continuous VGS 20 Vdc- Non-repetitive (tp 50 ms) VGSM 40 VpkDrain Curre

 0.4. Size:1611K  cn vbsemi
mmbf170lt1g.pdf

MMBF170L
MMBF170L

MMBF170LT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG

Другие MOSFET... MCH6602 , MCH6604 , MCH6613 , MGSF1N02L , MGSF1N03L , MGSF2N02EL , MLD1N06CL , MMBF0201NL , HY1906P , MMBF2201N , MMBF4391L , MMBF4392L , MMBF4393L , MMBFJ175L , MMBFJ177L , MMBFJ309L , MMBFJ310L .

 

 
Back to Top