MMBF2201N Todos los transistores

 

MMBF2201N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMBF2201N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMBF2201N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  onsemi
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MMBF2201N

MMBF2201N, NVF2201NPower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SC-70/SOT-323These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications are300 mAMPS, 20 VOLTSdc-dc converters, power management in portable andbattery-powered products su

 0.1. Size:106K  motorola
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MMBF2201N

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF2201NT1/DMMBF2201NT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single N-ChannelNCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETrDS(on) = 1.0 OHMPart of the GreenLine Portfolio of devices with energycon-serving traits.These miniature surface mount MOSFETs

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MMBF2201N

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF2201NT1/DMMBF2201NT1Motorola Preferred DeviceLow rDS(on) Small-Signal MOSFETsTMOS Single N-ChannelNCHANNELENHANCEMENTMODEField Effect TransistorsTMOS MOSFETrDS(on) = 1.0 OHMPart of the GreenLine Portfolio of devices with energycon-serving traits.These miniature surface mount MOSFE

 0.3. Size:76K  onsemi
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MMBF2201N

MMBF2201NT1Preferred DevicePower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SC-70/SOT-323These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications are300 mAMPS, 20 VOLTSdc-dc converters, power management in portable andbattery-powered p

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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