MMBF2201N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMBF2201N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для MMBF2201N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MMBF2201N даташит
mmbf2201n nvf2201n.pdf
MMBF2201N, NVF2201N Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products su
mmbf2201nt1rev2.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF2201NT1/D MMBF2201NT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single N-Channel N CHANNEL ENHANCEMENT MODE Field Effect Transistors TMOS MOSFET rDS(on) = 1.0 OHM Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy con- serving traits. These miniature surface mount MOSFETs
mmbf2201nt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF2201NT1/D MMBF2201NT1 Motorola Preferred Device Low rDS( on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single N-Channel N CHANNEL ENHANCEMENT MODE Field Effect Transistors TMOS MOSFET rDS(on) = 1.0 OHM Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy con- serving traits. These miniature surface mount MOSFE
mmbf2201nt1-d.pdf
MMBF2201NT1 Preferred Device Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered p
Другие MOSFET... MCH6604 , MCH6613 , MGSF1N02L , MGSF1N03L , MGSF2N02EL , MLD1N06CL , MMBF0201NL , MMBF170L , AO4407 , MMBF4391L , MMBF4392L , MMBF4393L , MMBFJ175L , MMBFJ177L , MMBFJ309L , MMBFJ310L , MMBFU310L .
History: G1825
History: G1825
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d




