MTD6N15 Todos los transistores

 

MTD6N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTD6N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 180(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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MTD6N15 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:231K  motorola
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MTD6N15

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 0.2. Size:70K  onsemi
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MTD6N15

MTD6N15Power Field Effect TransistorDPAK for Surface MountN-Channel Enhancement-Mode Silicon GateThis TMOS Power FET is designed for high speed, low loss powerswitching applications such as switching regulators, converters,http://onsemi.comsolenoid and relay drivers.V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXFeatures150 V 0.3 W 6.0 A Silicon Gate for Fast Switching Speeds Low RDS(

 0.3. Size:846K  cn vbsemi
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MTD6N15

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History: IRFY240 | JMSL030SAG

 

 
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