MTP2P50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP2P50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP2P50E

MTP2P50E Datasheet (PDF)

..1. Size:198K motorola
mtp2p50e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2P50E/DDesigner's Data SheetMTP2P50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

0.1. Size:230K motorola
mtp2p50erev1x.pdf

0.2. Size:184K onsemi
mtp2p50eg.pdf

MTP2P50EPower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel TO-220This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradingperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designed http://onsemi.comto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.The energy efficient design also offers a drain-to-sourc

0.3. Size:187K onsemi
mtp2p50e-d.pdf

Otros transistores... MMSF3P02HD , MPF4393 , MTB2P50E , MTB50P03HDL , MTD5P06V , MTD6N15 , MTD6N20E , MTP20N15E , IRF730 , MTP50P03HDL , MTW32N20E , NCV8401 , NCV8402 , NCV8402D , NCV8403 , NCV8405 , NCV8406 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: