Справочник MOSFET. MTP2P50E

 

MTP2P50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2P50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2P50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  motorola
mtp2p50e.pdfpdf_icon

MTP2P50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2P50E/DDesigner's Data SheetMTP2P50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

 0.1. Size:230K  motorola
mtp2p50erev1x.pdfpdf_icon

MTP2P50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2P50E/DDesigner's Data SheetMTP2P50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

 0.2. Size:184K  onsemi
mtp2p50eg.pdfpdf_icon

MTP2P50E

MTP2P50EPower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel TO-220This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradingperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designed http://onsemi.comto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.The energy efficient design also offers a drain-to-sourc

 0.3. Size:187K  onsemi
mtp2p50e-d.pdfpdf_icon

MTP2P50E

MTP2P50EPower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel TO-220This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradingperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designed http://onsemi.comto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.The energy efficient design also offers a drain-to-sourc

Другие MOSFET... MMSF3P02HD , MPF4393 , MTB2P50E , MTB50P03HDL , MTD5P06V , MTD6N15 , MTD6N20E , MTP20N15E , 75N75 , MTP50P03HDL , MTW32N20E , NCV8401 , NCV8402 , NCV8402D , NCV8403 , NCV8405 , NCV8406 .

History: IRF3315LPBF | SIR422DP-T1-GE3 | NDUL03N150CG

 

 
Back to Top

 


 
.