2SK949 Todos los transistores

 

2SK949 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK949
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SK949 Datasheet (PDF)

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"2SK949M"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK949M"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK949M"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

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2SK949

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK949-MRFEATURESDrain Current : I = 6.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.2(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

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History: ELM14606AA | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | AP6679BGP | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
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