2SK949 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK949
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO220
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2SK949 datasheet
2sk949m.pdf
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2sk949-mr.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK949-MR FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.2 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole
Otros transistores... 2SK929 , 2SK934 , 2SK935 , 2SK936 , 2SK946 , 2SK947 , 2SK947-MR , 2SK948 , IRF2807 , 2SK949-MR , 2SK950 , 2SK951 , 2SK951-01 , 2SK952 , 2SK953 , 2SK954 , 2SK955 .
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