2SK949 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK949
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для 2SK949
2SK949 Datasheet (PDF)
2sk949m.pdf

"2SK949M"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK949M"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK949M"Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
2sk949-mr.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK949-MRFEATURESDrain Current : I = 6.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.2(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole
Другие MOSFET... 2SK929 , 2SK934 , 2SK935 , 2SK936 , 2SK946 , 2SK947 , 2SK947-MR , 2SK948 , IRFB31N20D , 2SK949-MR , 2SK950 , 2SK951 , 2SK951-01 , 2SK952 , 2SK953 , 2SK954 , 2SK955 .
History: CJ3139KDW | AD8N60S | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | CEB6060N | APM4012NU
History: CJ3139KDW | AD8N60S | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | CEB6060N | APM4012NU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65