2SK949. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK949

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 2SK949

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK949 даташит

 0.1. Size:135K  1
 2sk949-mr.pdf pdf_icon

2SK949

 0.2. Size:134K  fuji
 2sk949m.pdf pdf_icon

2SK949

"2SK949M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK949M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK949M" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 0.3. Size:278K  inchange semiconductor
 2sk949-mr.pdf pdf_icon

2SK949

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK949-MR FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.2 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK929, 2SK934, 2SK935, 2SK936, 2SK946, 2SK947, 2SK947-MR, 2SK948, IRF2807, 2SK949-MR, 2SK950, 2SK951, 2SK951-01, 2SK952, 2SK953, 2SK954, 2SK955