NTA7002N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTA7002N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
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NTA7002N datasheet
nta7002n nvta7002n.pdf
NTA7002N, NVTA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 http //onsemi.com Features Low Gate Charge for Fast Switching RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 2.3 W @ 2.5 V Site and
nta7002n-d.pdf
NTA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 http //onsemi.com Features Low Gate Charge for Fast Switching RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 30 V 154 mA Pb-Free Package is Available 2.3 W @ 2.5 V Applications 3 Power Management Load Switch Le
nta7002nt1 nvta7002n.pdf
NTA7002N, NVTA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 http //onsemi.com Features Low Gate Charge for Fast Switching RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 2.3 W @ 2.5 V Site and
Otros transistores... NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , NIMD6001 , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , IRF3710 , NTB25P06 , NTB35N15 , NTB45N06 , NTB45N06L , NTB5404N , NTB5405N , NTB5426N , NTB5605P .
History: WPM3020
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