NTB5605P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB5605P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 122 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB5605P
NTB5605P Datasheet (PDF)
ntb5605p ntbv5605.pdf
NTB5605P, NTBV5605Power MOSFET-60 V, -18.5 AP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605-60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplicationsD Power Supplies PWM Mo
ntb5605pg.pdf
NTB5605P, NTBV5605Power MOSFET-60 V, -18.5 AP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes AEC Q101 Qualified - NTBV5605-60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 A These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantP-ChannelApplicationsD Power Supplies PWM Mo
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NTB5605P, NTB5605Power MOSFET-60 Volt, -18.5 AmpP-Channel, D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Designed for Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes Pb-Free Packages are Available -60 V 120 mW @ -5.0 V -18.5 AApplicationsP-Channel Power SuppliesD PWM Motor Control Converters Power Management
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