NTD4302 Todos los transistores

 

NTD4302 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD4302

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NTD4302 datasheet

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NTD4302

NTD4302 MOSFET Power, N-Channel, DPAK/IPAK 68 A, 30 V Features http //onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level Gate Drive 30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Avalanche Energy Specified D IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information

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NTD4302

NTD4302 Power MOSFET 68 A, 30 V, N-Channel DPAK Features Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified 30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information Provided

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NTD4302

NTD4302 Power MOSFET 68 A, 30 V, N-Channel DPAK Features Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life http //onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified 30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information Provided

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