NTD4302 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD4302
Маркировка: T4302
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 640 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NTD4302 Datasheet (PDF)
ntd4302.pdf
NTD4302MOSFET Power,N-Channel, DPAK/IPAK68 A, 30 VFeatureshttp://onsemi.com Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level Gate Drive30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery Avalanche Energy SpecifiedD IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information
ntd4302-1g.pdf
NTD4302Power MOSFET68 A, 30 V, N-Channel DPAKFeatures Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information Provided
ntd4302-d.pdf
NTD4302Power MOSFET68 A, 30 V, N-Channel DPAKFeatures Ultra Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Logic Level Gate Drive Diode Exhibits High Speed, Soft RecoveryV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified30 V 7.8 mW @ 10 V 68 A IDSS Specified at Elevated Temperature DPAK Mounting Information Provided
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
