NTD4813N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD4813N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NTD4813N datasheet
ntd4813n-1g ntd4813n-d.pdf
NTD4813N Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb--Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 13 m @10V CPU Power Delivery 30 V 40 A 24 m @4.5 V DC--DC Co
ntd4813nh-1g.pdf
NTD4813NH, NVD4813NH Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RG V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD4813NH These Devices are Pb-Free and are RoHS Comp
ntd4813nh-d.pdf
NTD4813NH Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RG V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb--Free Devices 13 m @10V Applications 30 V 40 A 25.9 m @4.5 V CPU Power Delivery
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History: FDS4559F085 | SP4412 | MMBT7002 | SGSP361 | STM6926 | AP60T03AS
History: FDS4559F085 | SP4412 | MMBT7002 | SGSP361 | STM6926 | AP60T03AS
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