NTD70N03R Todos los transistores

 

NTD70N03R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD70N03R
   Código: 70N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD70N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  onsemi
 ntd70n03r-001 ntd70n03rg ntd70n03r.pdf pdf_icon

NTD70N03R

NTD70N03RPower MOSFET72 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low CISS to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 5.6 mW 72 A Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)DP

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History: FS70UM-2 | 3SK123AK | FS70KMJ-03F | ZVN3306FTA

 

 
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