NTD70N03R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD70N03R  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: DPAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de NTD70N03R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTD70N03R datasheet

 ..1. Size:85K  onsemi
ntd70n03r-001 ntd70n03rg ntd70n03r.pdf pdf_icon

NTD70N03R

NTD70N03R Power MOSFET 72 A, 25 V, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low CISS to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 25 V 5.6 mW 72 A Pb-Free Packages are Available N-Channel MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwise specified) D P

Otros transistores... NTD5865N, NTD5865NL, NTD5867NL, NTD6414AN, NTD6415AN, NTD6415ANL, NTD6416AN, NTD6416ANL, 75N75, NTE4151P, NTE4153N, NTF2955, NTF3055-100, NTF3055L108, NTF5P03T3, NTF6P02, NTGD1100L