NTD70N03R - описание и поиск аналогов

 

NTD70N03R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD70N03R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD70N03R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD70N03R даташит

 ..1. Size:85K  onsemi
 ntd70n03r-001 ntd70n03rg ntd70n03r.pdf pdf_icon

NTD70N03R

NTD70N03R Power MOSFET 72 A, 25 V, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low CISS to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 25 V 5.6 mW 72 A Pb-Free Packages are Available N-Channel MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwise specified) D P

Другие MOSFET... NTD5865N , NTD5865NL , NTD5867NL , NTD6414AN , NTD6415AN , NTD6415ANL , NTD6416AN , NTD6416ANL , AOD4184A , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L .

History: OSG55R190AF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.