NTD70N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTD70N03R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTD70N03R Datasheet (PDF)
ntd70n03r-001 ntd70n03rg ntd70n03r.pdf

NTD70N03RPower MOSFET72 A, 25 V, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low CISS to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 5.6 mW 72 A Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)DP
Другие MOSFET... NTD5865N , NTD5865NL , NTD5867NL , NTD6414AN , NTD6415AN , NTD6415ANL , NTD6416AN , NTD6416ANL , CEP83A3 , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L .
History: CM10N80P | JCS5N50CT | RS1G150MN | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005
History: CM10N80P | JCS5N50CT | RS1G150MN | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125