NTE4153N Todos los transistores

 

NTE4153N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTE4153N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.915 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.17 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTE4153N

 

NTE4153N Datasheet (PDF)

1.1. nta4153nt1 nta4153n nte4153n.pdf Size:68K _onsemi

NTE4153N
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NTA4153N, NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 Features http://onsemi.com • Low RDS(on) Improving System Efficiency • Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • ESD Protected Gate 0.127 W @ 4.5 V • Pb-Free Packages are Available 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA Applications 0.242 W @ 1.8 V •

4.1. nta4151pt1 nta4151p nte4151p.pdf Size:66K _onsemi

NTE4153N
NTE4153N

NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features http://onsemi.com • Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life • Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V • ESD Protected Gate -20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA • Pb-Free Packages are

 

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