NTE4153N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTE4153N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.915 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Encapsulados: SC89
Búsqueda de reemplazo de NTE4153N MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
NTE4153N datasheet
nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf
NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http //onsemi.com Features Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application
nta4153nt1 nta4153n nte4153n.pdf
NTA4153N, NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 Features http //onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate 0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA Applications 0.242 W @ 1.8 V
nte4153nt1g.pdf
NTE4153NT1G www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested 0.270 at VGS = 4.5 V 0.75 20 1.4 nC 0.390 at VGS = 2.5 V 0.70 APPLICATIONS Smart phones, tablet PC s - DC/DC converters - Boost converters - Load switch, OVP switch SC-75 D G 1 G 3 D S 2 Top Vie
nta4151p nte4151p.pdf
NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features www.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and
Otros transistores... NTD5867NL , NTD6414AN , NTD6415AN , NTD6415ANL , NTD6416AN , NTD6416ANL , NTD70N03R , NTE4151P , 60N06 , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet
