NTE4153N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTE4153N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.915 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: SC89

Аналог (замена) для NTE4153N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTE4153N даташит

 ..1. Size:72K  onsemi
 nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf pdf_icon

NTE4153N

NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http //onsemi.com Features Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 ..2. Size:68K  onsemi
 nta4153nt1 nta4153n nte4153n.pdf pdf_icon

NTE4153N

NTA4153N, NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 Features http //onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate 0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA Applications 0.242 W @ 1.8 V

 0.1. Size:1950K  cn vbsemi
 nte4153nt1g.pdf pdf_icon

NTE4153N

NTE4153NT1G www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested 0.270 at VGS = 4.5 V 0.75 20 1.4 nC 0.390 at VGS = 2.5 V 0.70 APPLICATIONS Smart phones, tablet PC s - DC/DC converters - Boost converters - Load switch, OVP switch SC-75 D G 1 G 3 D S 2 Top Vie

 8.1. Size:70K  onsemi
 nta4151p nte4151p.pdf pdf_icon

NTE4153N

NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features www.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTD5867NL, NTD6414AN, NTD6415AN, NTD6415ANL, NTD6416AN, NTD6416ANL, NTD70N03R, NTE4151P, 60N06, NTF2955, NTF3055-100, NTF3055L108, NTF5P03T3, NTF6P02, NTGD1100L, NTGD3148N, NTGD4161P