NTGS3130N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTGS3130N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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NTGS3130N datasheet

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NTGS3130N

NTGS3130N Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6 Features Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) mAX ID Max This is a Pb-Free Device 24 mW @ 4.5 V 5.6 A Applications 20 V DC-DC Converters 32 mW @ 2.5 V 4.9 A Lithium Ion Ba

 7.1. Size:201K  onsemi
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NTGS3130N

NTGS3136P, NVGS3136P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -20 V, -5.8 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Switching 25 mW @ -4.5 V -5.1 A NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique -20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 A Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified an

 7.2. Size:113K  onsemi
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NTGS3130N

NTGS3136P Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating http //onsemi.com Fast Switching This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Applications 25 mW @ -4.5 V -5.1 A Optimized for Battery and Load Management Applications in -20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 A Portable Equipment 41 mW @ -1.8 V -

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NTGS3130N

NTGS3136PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm

Otros transistores... NTF3055-100, NTF3055L108, NTF5P03T3, NTF6P02, NTGD1100L, NTGD3148N, NTGD4161P, NTGD4167C, IRF540, NTGS3136P, NTGS3433, NTGS3441, NTGS3443, NTGS3446, NTGS3455, NTGS4111P, NTGS4141N