NTGS5120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTGS5120P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 18.1 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.072 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

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NTGS5120P Datasheet (PDF)

1.1. ntgs5120pt1g.pdf Size:106K _update-mosfet

NTGS5120P Power MOSFET -60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features • 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package • 4.5 V Gate Rating http://onsemi.com • This is a Pb-Free Device Applications V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX • High Side Load Switch 111 mW @ -10 V • Power Switch for Printers, Communication Equipment -60 V -2.9 A 142 mW @ -4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C un

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