NTGS5120P Todos los transistores

 

NTGS5120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTGS5120P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 18.1 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.072 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

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NTGS5120P Datasheet (PDF)

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