NTGS5120P Todos los transistores

 

NTGS5120P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTGS5120P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.111 Ohm

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de NTGS5120P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTGS5120P datasheet

 ..1. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf pdf_icon

NTGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -60 V, -2.9 A Features http //onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 111 mW @ -10 V PPAP Capable -60 V -2.9 A 142 mW @ -4

 0.1. Size:106K  onsemi
 ntgs5120pt1g.pdf pdf_icon

NTGS5120P

NTGS5120P Power MOSFET -60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating http //onsemi.com This is a Pb-Free Device Applications V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX High Side Load Switch 111 mW @ -10 V Power Switch for Printers, Communication Equipment -60 V -2.9 A 142 mW @ -4.5 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C un

Otros transistores... NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , IRFP260N , NTHC5513 , NTHD3100C , NTHD3101F , NTHD3102C , NTHD3133PF , NTHD4102P , NTHD4502N , NTHD4508N .

History: 2SK665 | IRF7413A | FS30SM-6 | IRF741

 

 

 

 

↑ Back to Top
.