Справочник MOSFET. NTGS5120P

 

NTGS5120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTGS5120P
   Маркировка: P6*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.111 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для NTGS5120P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGS5120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  onsemi
 ntgs5120p nvgs5120p.pdf pdf_icon

NTGS5120P

NTGS5120P, NVGS5120PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-60 V, -2.9 AFeatureshttp://onsemi.com 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Rating NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and111 mW @ -10 VPPAP Capable-60 V -2.9 A142 mW @ -4

 0.1. Size:106K  onsemi
 ntgs5120pt1g.pdf pdf_icon

NTGS5120P

NTGS5120PPower MOSFET-60 V, -2.9 A, Single P-Channel, TSOP-6Features 60 V BVds, Low RDS(on) in TSOP-6 Package 4.5 V Gate Ratinghttp://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX High Side Load Switch111 mW @ -10 V Power Switch for Printers, Communication Equipment-60 V -2.9 A142 mW @ -4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C un

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.