NTHS5404 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTHS5404
   Código: A2*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIPFET8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTHS5404

NTHS5404 Datasheet (PDF)

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nths5404t1g.pdf

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0.2. Size:111K onsemi
nths5404t1.pdf

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NTHS5402T1Power MOSFETN-Channel ChipFETE4.9 Amps, 30 VoltsFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency Miniature ChipFET Surface Mount Package4.9 AMPSApplications Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., 30 VOLTSCellular and Cordless Telephones and PCMCIA CardsRDS(on) = 35 mWDMAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise

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Liste

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