NTJS3151P Todos los transistores

 

NTJS3151P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTJS3151P
   Código: TJ*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC88 SOT363

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTJS3151P

 

NTJS3151P Datasheet (PDF)

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NTJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureshttp://onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V Pb-Free Packages are Available-12 V67 mW @ -2.5 V -3.3 AApplications

 ..2. Size:67K  onsemi
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NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

 7.1. Size:133K  onsemi
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NTJS3157NTrench Power MOSFET20 V, 4.0 A, Single N-Channel, SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Fast Switching for Increased Circuit Efficiency SC-88 Small Outline (2 x 2 mm) for Maximum Circuit BoardV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxUtilization, Same as SC-70-645 mW @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available4.0

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