NTJS3151P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTJS3151P
Código: TJ*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.625 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 12 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 8.6 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SC88 SOT363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTJS3151P
NTJS3151P Datasheet (PDF)
ntjs3151p ntjs3151pt1g ntjs3151pt2.pdf
NTJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureshttp://onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V Pb-Free Packages are Available-12 V67 mW @ -2.5 V -3.3 AApplications
ntjs3151p nvjs3151p.pdf
NTJS3151P, NVJS3151PTrench Power MOSFET12 V, 3.3 A, Single P-Channel, ESD Protected SC-88Featureswww.onsemi.com Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Gate Diodes for ESD Protection45 mW @ -4.5 V NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
ntjs3157n ntjs3157nt1g ntjs3157nt2 ntjs3157nt4.pdf
NTJS3157NTrench Power MOSFET20 V, 4.0 A, Single N-Channel, SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Lifehttp://onsemi.com Fast Switching for Increased Circuit Efficiency SC-88 Small Outline (2 x 2 mm) for Maximum Circuit BoardV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxUtilization, Same as SC-70-645 mW @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available4.0
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