NTLGF3402P Todos los transistores

 

NTLGF3402P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTLGF3402P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN6
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTLGF3402P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  onsemi
 ntlgf3402p ntlgf3402pt1g.pdf pdf_icon

NTLGF3402P

NTLGF3402PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -3.9 A FETKY), P-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6http://onsemi.comFeaturesMOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mmV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Enhanced Thermal Characteristics Low VF and Low Leakage Schottky Diode-20 V 110 mW @ -4.5 V -3.9 A Reduced Gate Charge to Improve Switching ResponseSCHOT

 8.1. Size:87K  onsemi
 ntlgf3501nt2g.pdf pdf_icon

NTLGF3402P

NTLGF3501NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A FETKY), N-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6http://onsemi.comFeaturesMOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mmV(BR)DSS RDS(on) TYP ID TYP Reduced Gate Charge to Improve Switching Response Enhanced Thermal Characteristics20 V 70 mW @ 4.5 V 4.6 A This is a Pb-Free DeviceSCHOTTKY DIODEApplicat

Otros transistores... NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N , 18N50 , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P , NTLJS4114N .

History: CS3N100P | WML15N65C2 | 2SK3034 | CSD18536KCS | HAT2171H | NCE65N900I | IXFZ520N075T2

 

 
Back to Top

 


 
.