NTLGF3402P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTLGF3402P
Código: 3402
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 3.8 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTLGF3402P
NTLGF3402P Datasheet (PDF)
ntlgf3402p ntlgf3402pt1g.pdf
NTLGF3402PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -3.9 A FETKY), P-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6http://onsemi.comFeaturesMOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mmV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Enhanced Thermal Characteristics Low VF and Low Leakage Schottky Diode-20 V 110 mW @ -4.5 V -3.9 A Reduced Gate Charge to Improve Switching ResponseSCHOT
ntlgf3501nt2g.pdf
NTLGF3501NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A FETKY), N-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6http://onsemi.comFeaturesMOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mmV(BR)DSS RDS(on) TYP ID TYP Reduced Gate Charge to Improve Switching Response Enhanced Thermal Characteristics20 V 70 mW @ 4.5 V 4.6 A This is a Pb-Free DeviceSCHOTTKY DIODEApplicat
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