NTLGF3402P - описание и поиск аналогов

 

NTLGF3402P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTLGF3402P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: DFN6

Аналог (замена) для NTLGF3402P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLGF3402P даташит

 ..1. Size:86K  onsemi
 ntlgf3402p ntlgf3402pt1g.pdf pdf_icon

NTLGF3402P

NTLGF3402P Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.9 A FETKY), P-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 http //onsemi.com Features MOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mm V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Enhanced Thermal Characteristics Low VF and Low Leakage Schottky Diode -20 V 110 mW @ -4.5 V -3.9 A Reduced Gate Charge to Improve Switching Response SCHOT

 8.1. Size:87K  onsemi
 ntlgf3501nt2g.pdf pdf_icon

NTLGF3402P

NTLGF3501N Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A FETKY), N-Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 http //onsemi.com Features MOSFET Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1 mm V(BR)DSS RDS(on) TYP ID TYP Reduced Gate Charge to Improve Switching Response Enhanced Thermal Characteristics 20 V 70 mW @ 4.5 V 4.6 A This is a Pb-Free Device SCHOTTKY DIODE Applicat

Другие MOSFET... NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , NTJS4405N , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N , 12N60 , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N , NTLJF3117P , NTLJF4156N , NTLJS2103P , NTLJS3113P , NTLJS4114N .

History: SE150110G | SFS06R10DF | AOD4120

 

 

 

 

↑ Back to Top
.