NTLJF3117P Todos los transistores

 

NTLJF3117P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTLJF3117P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDFN6
 

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NTLJF3117P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  onsemi
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NTLJF3117P

NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same

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NTLJF3117P

NTLJF3117PPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 ASchottky Barrier Diode, 2x2 mm,mCool] Packagehttp://onsemi.comFeaturesMOSFET FETKYt Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode mCOOLt Package Provides Exposed Drain Pad for ExcellentV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1)Thermal Conduction100 mW @ -4.5 V 2x2 mm Footprint Same

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NTLJF3117P

NTLJF3118NPower MOSFET andSchottky Diode20 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Max ID Max WDFN 2x2 mm Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction65 mW @ 4.5 V 3.8 A Footprint Same as SC-88 Package20 V 85 mW @ 2.5 V 2.0 A 1.8 V VGS Rated RDS(o

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NTLJF3117P

NTLJF4156NPower MOSFET andSchottky Diode30 V, 4.6 A, mCool] N-Channel, with2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mmhttp://onsemi.comWDFN PackageMOSFETFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction70 mW @ 4.5 V Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout30 V 90 mW @ 2.5 V 4.6 A RD

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