QN3109M6N Todos los transistores

 

QN3109M6N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QN3109M6N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1941 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PRPAK5X6
 

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QN3109M6N Datasheet (PDF)

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QN3109M6N

QN3109M6NN N-Channel 30V Fast Switching MOSFET General Description Product Summary The QN3109M6N is the highest performance RDSON ID BVDSS trench N-Channel MOSFET with extreme high (VGS=10V) (TC=25) cell density, which provide excellent RDSON 30V 1.5m 154A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QN3109M6N mee

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QN3109M6N

QN3103M6N N-Channel 30V Fast Switching MOSFET General Description Product Summary The QN3103M6N is the highest performance RDSON ID BVDSS trench N-Channel MOSFET with extreme high (VGS=10V) (TC=25) cell density , which provide excellent RDSON 30V 6.3m 68A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QN3103M6N meet

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QN3109M6N

QN3107M6N N-Channel 30V Fast Switching MOSFET General Description Product Summary The QN3107M6N is the highest performance RDSON ID BVDSS trench N-Channel MOSFET with extreme high (VGS=10V) (TC=25) cell density , which provide excellent RDSON 30V 2.6m 110A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QN3107M6N meet

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History: BLV730 | HY1506P

 

 
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