NTMFS4833NS Todos los transistores

 

NTMFS4833NS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTMFS4833NS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: SO8FL

 Búsqueda de reemplazo de NTMFS4833NS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTMFS4833NS datasheet

 ..1. Size:139K  onsemi
ntmfs4833ns.pdf pdf_icon

NTMFS4833NS

NTMFS4833NS SENSEFET) Power MOSFET 30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 2.2 m

 0.1. Size:139K  onsemi
ntmfs4833nst1g.pdf pdf_icon

NTMFS4833NS

NTMFS4833NS SENSEFET) Power MOSFET 30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 2.2 m

 4.1. Size:880K  onsemi
ntmfs4833na.pdf pdf_icon

NTMFS4833NS

 4.2. Size:139K  onsemi
ntmfs4833nt1g.pdf pdf_icon

NTMFS4833NS

NTMFS4833N Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications Refer to Application Note AND8195/D 2.0 mW @ 10 V 30 V 191 A CPU Po

Otros transistores... NTMD6N04R2 , S60N12S , NTMFS4119N , NTMFS4821N , NTMFS4823N , NTMFS4825NFE , NTMFS4826NE , NTMFS4833N , 8N60 , NTMFS4834N , NTMFS4835N , NTMFS4836N , NTMFS4841N , S60N12RN , NTMFS4846N , NTMFS4847N , NTMFS4851N .

History: AO3400MI-MS | SMN03T80IS | IXFE48N50Q | 2SK1662 | MTP3N40 | WM03N86M2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.