2SK962-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK962-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de 2SK962-01 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SK962-01 datasheet

 8.1. Size:134K  fuji
 2sk962.pdf pdf_icon

2SK962-01

 9.1. Size:139K  1
 2sk960-mr.pdf pdf_icon

2SK962-01

 9.2. Size:225K  1
 2sk961.pdf pdf_icon

2SK962-01

FUJI POWER MOSFET 2SK961 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- I SERIES Outline Drawings Features High current TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage Applications Switching regulators UPS DC-DC converters General purpose power amplifier 3. Source JEDEC TO-220AB EIAJ SC-46 Equivalent circuit schematic Maximum ratings and characteristic

 9.3. Size:32K  panasonic
 2sk963.pdf pdf_icon

2SK962-01

Power F-MOS FETs 2SK963 2SK963 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 3.0 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on) = 0.45 (typ) High-speed switching tf = 45ns(typ) No secondary breakdown 1.1 0.1 0.85 0.1 Applications 0.75 0.1 0.4 0.1 DC-DC converter Non-contact relay Solenoid drive 2.3 0.2 4.6 0.4 Motor drive 1 2 3 1 Gate

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SK957, 2SK957-01, 2SK958, 2SK959, 2SK960, 2SK960-MR, 2SK961, 2SK962, K2611, 2SK963, 2SK970, 2SK971, 2SK972, 2SK973L, 2SK973S, 2SK974L, 2SK974S