NTNUS3171PZ Todos los transistores

 

NTNUS3171PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTNUS3171PZ
   Código: 5*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1123
 

 Búsqueda de reemplazo de NTNUS3171PZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTNUS3171PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
 ntnus3171pz.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZ

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

 0.1. Size:90K  onsemi
 ntnus3171pzt5g.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZ

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

Otros transistores... NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , STP75NF75 , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN , NTP6413AN .

History: FQP16N25 | IRLI2203N | BUZ11 | FDMC7572S

 

 
Back to Top

 


 
.