NTNUS3171PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTNUS3171PZ
Código: 5*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Tiempo de subida (tr): 56 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3.4 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT1123
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTNUS3171PZ
NTNUS3171PZ Datasheet (PDF)
ntnus3171pz.pdf
NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (
ntnus3171pzt5g.pdf
NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (
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