NTNUS3171PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTNUS3171PZ
   Código: 5*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1123

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTNUS3171PZ

NTNUS3171PZ Datasheet (PDF)

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ntnus3171pz.pdf

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

0.1. Size:90K onsemi
ntnus3171pzt5g.pdf

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Liste

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