Справочник MOSFET. NTNUS3171PZ

 

NTNUS3171PZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTNUS3171PZ
   Маркировка: 5*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT1123
 

 Аналог (замена) для NTNUS3171PZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTNUS3171PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
 ntnus3171pz.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZ

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

 0.1. Size:90K  onsemi
 ntnus3171pzt5g.pdf pdf_icon

NTNUS3171PZ

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

Другие MOSFET... NTMS4917N , NTMS4920N , NTMS4937N , NTMS4939N , NTMS5835NL , NTMS5838NL , NTMS5P02 , NTMS7N03R2 , STP75NF75 , NTP2955 , NTP5404N , NTP5863N , NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN , NTP6413AN .

History: FDMC7572S | BUZ11 | IRLI2203N | FQP16N25

 

 
Back to Top

 


 
.