NTP2955 Todos los transistores

 

NTP2955 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTP2955
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.196 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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NTP2955 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  onsemi
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NTP2955

NTP2955MOSFET Power, Single,P-Channel, TO-220-60 V, -12 AFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) Rugged Performance V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Fast Switching-60 V 156 mW @ -10 V -12 A These are Pb-Free Devices*P-ChannelApplicationsD Industrial Automotive Power SuppliesGMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)SParameter Symb

 ..2. Size:141K  onsemi
 ntp2955 ntp2955g.pdf pdf_icon

NTP2955

NTP2955Power MOSFET-60 V, -12 A, Single P-Channel, TO-220Features Low RDS(on)http://onsemi.com Rugged Performance Fast SwitchingV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Pb-Free Package is Available*-60 V 156 mW @ -10 V -12 AApplications IndustrialP-Channel AutomotiveD Power SuppliesMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Va

 0.1. Size:815K  cn vbsemi
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NTP2955

NTP2955Gwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () TrenchFET Power MOSFETID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.062 at VGS = - 10 V - 20- 60 12.50.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load SwitchSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S

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