NTS2101P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTS2101P
   Código: TS*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.29 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 8 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.7(typ) V
   Carga de la puerta (Qg): 6.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70 SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTS2101P

NTS2101P Datasheet (PDF)

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NTS2101PPower MOSFET-8.0 V, -1.4 A, Single P-Channel, SC-70Features Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2 x 2 mm)65 mW @ -4.5 V Pb-Free Package is Available-8.0 V78 mW @ -2.5 V -1.4 AApplications High

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NTS2101PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 3.1 TrenchFET Power MOSFET4.3 nC- 200.100 at VGS = - 2.5 V - 2.3 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

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Liste

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