NTS4409NT1G Todos los transistores

 

NTS4409NT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTS4409NT1G
   Código: T4*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70 SOT323
 

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NTS4409NT1G Datasheet (PDF)

 6.1. Size:123K  onsemi
 nts4409n nvs4409n.pdf pdf_icon

NTS4409NT1G

NTS4409N, NVS4409NSmall Signal MOSFET25 V, 0.75 A, Single, N-Channel,ESD Protection, SC-70/SOT-323Featureshttp://onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant25

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History: IRFU9020 | BUZ76A | FRE460R | BUZ80FI | APT1201R5BVR | IRF634 | IRLR3303

 

 
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