NTS4409NT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTS4409NT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
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NTS4409NT1G datasheet
nts4409n nvs4409n.pdf
NTS4409N, NVS4409N Small Signal MOSFET 25 V, 0.75 A, Single, N-Channel, ESD Protection, SC-70/SOT-323 Features http //onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N 249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 25
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