NUS3116MT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NUS3116MT
   Código: 3116
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NUS3116MT

NUS3116MT Datasheet (PDF)

..1. Size:173K onsemi
nus3116mt.pdf

NUS3116MTMain Switch PowerMOSFET and Dual ChargingBJT-12 V, -6.2 A, mCoolE Single P-Channelhttp://onsemi.comwith Dual PNP low Vce(sat) Transistors,3x3 mm WDFN PackageMOSFETV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXThis device integrates one high performance power MOSFET andtwo low Vce(sat) transistors, greatly reducing the layout space and 32 mW @ -4.5 V-12 V -6.2 Aoptimizing chargin

9.1. Size:90K onsemi
ntnus3171pzt5g.pdf

NTNUS3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Single P-Channel,1.0 x 0.6 mm SOT-1123 PackageFeatures http://onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

9.2. Size:95K onsemi
ntnus3171pz.pdf

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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