NUS3116MT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NUS3116MT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: DFN8
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NUS3116MT datasheet
nus3116mt.pdf
NUS3116MT Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT -12 V, -6.2 A, mCoolE Single P-Channel http //onsemi.com with Dual PNP low Vce(sat) Transistors, 3x3 mm WDFN Package MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX This device integrates one high performance power MOSFET and two low Vce(sat) transistors, greatly reducing the layout space and 32 mW @ -4.5 V -12 V -6.2 A optimizing chargin
ntnus3171pzt5g.pdf
NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET -20 V, -200 mA, Single P-Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT-1123 Package Features http //onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (
ntnus3171pz.pdf
NTNUS3171PZ Small Signal MOSFET -20 V, -200 mA, Single P-Channel, 1.0 x 0.6 mm SOT-1123 Package Features http //onsemi.com Single P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 3.5 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 4.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (
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