NUS5531MT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NUS5531MT
Código: 5531
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.46 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 12 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 17.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: WDFN8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NUS5531MT
NUS5531MT Datasheet (PDF)
nus5531mt.pdf
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NUS5530MNIntegrated Power MOSFETwith PNP Low VCE(sat)Switching TransistorThis integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with ahttp://onsemi.comPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredportable electronics. 1 8Feat
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