NUS5531MT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NUS5531MT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDFN8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NUS5531MT

NUS5531MT Datasheet (PDF)

..1. Size:146K onsemi
nus5531mt.pdf

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8.1. Size:163K onsemi
nus5530mn.pdf

NUS5530MNIntegrated Power MOSFETwith PNP Low VCE(sat)Switching TransistorThis integrated device represents a new level of safety andboard-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with ahttp://onsemi.comPNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integratedproduct provides higher efficiency and accuracy for battery poweredportable electronics. 1 8Feat

8.2. Size:162K onsemi
nus5530mnr2g.pdf

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Liste

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