NUS5531MT - описание и поиск аналогов

 

NUS5531MT - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NUS5531MT
   Маркировка: 5531
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: WDFN8
 

 Аналог (замена) для NUS5531MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NUS5531MT технические параметры

 ..1. Size:146K  onsemi
 nus5531mt.pdf pdf_icon

NUS5531MT

NUS5531MT Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT -12 V, -6.2 A, Single P-Channel FET with http //onsemi.com Single PNP low Vce(sat) Transistor, 3x3 mm WDFN Package MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX This device integrates one high performance power MOSFET and one low Vce(sat) transistor, greatly reducing the layout space and 32 mW @ -4.5 V -12 V -6.2 A optimizing charging

 8.1. Size:163K  onsemi
 nus5530mn.pdf pdf_icon

NUS5531MT

NUS5530MN Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with a http //onsemi.com PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics. 1 8 Feat

 8.2. Size:162K  onsemi
 nus5530mnr2g.pdf pdf_icon

NUS5531MT

NUS5530MN Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board-space reduction by combining the 20 V P-Channel FET with a http //onsemi.com PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency and accuracy for battery powered portable electronics. 1 8 Feat

Другие MOSFET... NTZD3152P , NTZD3154N , NTZD3155C , NTZD5110N , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , P60NF06 , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL , NVD5865NL , NVD5867NL , NVD5890N , NVMFD5877NL , NVMFS4841N .

 

 
Back to Top

 


 
.