2SK979 Todos los transistores

 

2SK979 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK979

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK979

 

2SK979 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk979.pdf Size:125K _no

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www.DataSheet4U.com

5.1. 2sk975.pdf Size:75K _renesas

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2SK975 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0905-0200 (Previous: ADE-208-1243) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device ? Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Outline RENESAS Package code

5.2. r07ds0434ej 2sk975.pdf Size:109K _renesas

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Preliminary Datasheet R07DS0434EJ0300 2SK975 (Previous: REJ03G0905-0200) Rev.3.00 Silicon N Channel MOS FET Jun 07, 2011 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device ? Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Outlin

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