TF202THC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF202THC

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15000 Ohm

Encapsulados: VTFP

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TF202THC datasheet

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TF202THC

Ordering number ENA1285B TF202THC N-Channel JFET http //onsemi.com 20V, 140 to 350 A, 1.0mS, VTFP Features Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Especially suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent voltage characteristics Excellent transient characteristics Adoption of FBET process

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TF202THC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF202 N-CHANNEL JFET N-CHANNEL JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF202 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphone applications. FEATURES *Suited for use in audio, telephone capacitor mi

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