TF202THC Todos los transistores

 

TF202THC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF202THC
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15000 Ohm
   Paquete / Cubierta: VTFP
 

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TF202THC Datasheet (PDF)

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TF202THC

Ordering number : ENA1285BTF202THCN-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.0mS, VTFPFeatures Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Especially suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent voltage characteristics Excellent transient characteristics Adoption of FBET process

 9.1. Size:220K  utc
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TF202THC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF202 N-CHANNEL JFET N-CHANNEL JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF202 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphoneapplications. FEATURES*Suited for use in audio, telephone capacitor mi

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History: KHB9D0N90N1 | TMD2N60H | SJMN088R65W | IRLU3715PBF | RU55L18L | SIZ346DT | IPP076N12N3

 

 
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